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隨著電子技術的發展，新型雷達、探測器和精確制導武器相繼問世，軍事防空能力和反導能力與日俱增，使得武器系統，尤其是大型作戰武器，如飛機、導彈、艦船、坦克等面臨越來越多的威脅。為了提高戰爭中的生存能力、防御能力和攻擊能力，隱身技術越來越受到重視。
高溫構件進行雷達隱身問題是一個制約影響我國戰機和導彈等先進思想武器系統裝備企業發展的瓶頸，傳統的磁性納米粒子填充高分子吸波材料在高溫下會發生性能不斷下降和化學物質分解，無法得到滿足巡航導彈冒頭端、發動機尾噴口、超高音速飛行器表面等武器裝備高溫部位的隱身需求，嚴重問題限制了全方位隱身技術的發展，亟待解決發展具有耐高溫、抗氧化、力學模型性能更加優異的吸波材料。
SiC陶瓷具有高強度、高硬度、低密度、耐高溫、耐化學腐蝕等特點,是一種與其它吸波材料相比具有優異耐高溫性能的優良陶瓷基吸波材料。 然而，由有機前體轉化的普通SiC纖維具有高電阻率，并且是電磁波的波可滲透材料，這需要工藝改進以改進吸波性能，例如：
采用化學摻雜或物理共混的方法在碳化硅纖維中引入不均勻的金屬元素，改善了碳化硅纖維的吸波性能
通過涂覆或沉積導電層對碳化硅纖維表面進行改性以降低其導電性，從而提高其吸波性能。
對碳化硅纖維可以進行研究高溫處理，其電阻率會降低，吸波性能問題得以不斷提高；
制備了三葉形、橢圓形、C形和五邊形等不同截面的碳化硅纖維，以增加電磁波的反射時間，從而提高吸收性能。
