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隨著我國電子信息技術的發展，新型雷達、探測器及精密制導武器相繼問世，軍事空中防御工作能力和反導彈能力問題日益明顯增強，使得中國武器系統，特別是對于大型作戰武器，如飛機、導彈、艦艇、坦克等所面臨的威脅越來越大，為提高人民戰爭中的生存分析能力、防衛行為能力和攻擊能力，隱身技術企業越來越容易受到人們重視。
高溫部件的雷達隱身問題是制約我國戰斗機、導彈等先進武器裝備發展的瓶頸，已不能滿足巡航導彈高溫部件、發動機尾噴管和高超聲速飛行器表面的要求，嚴重制約了低可偵測性技術的發展，研制耐高溫、抗氧化、機械性能優良的吸波材料勢在必行。
SiC陶瓷具有高強度、高硬度、低密度、耐高溫和耐化學腐蝕等特性。它是一種良好的陶瓷基吸波材料。與其他吸波材料相比，耐高溫性能突出。而普通的由有機前驅體轉化而來的SiC纖維電阻率高，是電磁波傳輸材料。需要技術改進來提高吸收性能，例如:
采用化學摻雜或物理共混的方法，在碳化硅纖維中引入不均勻的金屬元素，改善了碳化硅纖維的吸波性能
對碳化硅纖維進行表面改性，通過涂覆或沉積導電層來降低電導率，從而提高吸波性能；
對碳化硅纖維可以進行研究高溫處理，其電阻率會降低，吸波性能問題得以不斷提高；
制備三葉形、橢圓形、 c 形、五角星形碳化硅纖維可以增加電磁波的反射次數，從而提高吸收性能。
